3D NAND闪存或将大举入侵,固态硬盘恐将又被颠覆

2017-11-08

3D NAND闪存是在2014年由三星开始率先推出,后来其他几大原厂跟进研发并在2016年才开始试生产。在这之前,固态硬盘所用的闪存颗粒还是2D闪存占据主导。

 

 

但到了今年,各大闪存原厂已开始陆续量产3D NAND,欲要用自己的技术或成本优势在这个领域争高下。3D闪存时代也开始真正来临。

 

 

据说,三星已在平泽厂投产64层3D NAND,而东芝与西部数据也计划在2017年下半年开始导入64层3D NAND,传SK海力士72层3D NAND也已投入量产,美光64层3D NAND量产同样在如火如荼的进行中。

 

而这层数越高,代表单位闪存芯片的存储容量更大,成本也更有优势。这也意味着采用3D NAND的大容量固态硬盘成本也将变低,进而大容量固态盘也会普及。

 

 

此外,美光还表示,其目前已超过5成的NAND Flash产能都是3D NAND,到2018年其3D NAND产能或达9成。

 

也就是说,2D NAND的产能会变得越来越少,逐渐淡出视野。同时,这也将促使固态硬盘快速转进3D闪存时代,主控也将因此革新换代以适配3D闪存。到时候,固态硬盘的品质及性能也将出现新的变化。

 

 
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